串行Flash(25系列)
韧体Flash (49系列)
ConcurrentSuperFlash(36系列)
ComboMemory(32&34系列)
FlashFlex51 Microcontroller(89系列)
ATA Flash Disk Controller(55系列)
Communications ICs(12系列)
Multi-Purpose Flash(39系列)
Small-Sector Flash(28&29系列)
Many-Time Programmable(27&37系列)
5V高速异步SRAM
5V低功耗异步SRAM
高速低功耗异步SRAM
PowerSaverTM低功耗异步SRAM
Pseudo SRAM
3.3V同步DRAM
SAMSUNG-韩国三星
HYNIX-韩国现代
Winbond-华邦
ESMT-晶豪科技
Micron Technology-镁光
Eeron-钰创
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（SST）的超快闪EEPROM技术的CMOS和海温场加强隧道喷射分裂栅存储单元。 The SuperFlash ® technology and memory cell have a number of important advantages for designing and manufacturing flash EEPROMs, or embedding SuperFlash memory in logic devices, when compared with the thin oxide stacked gate or two transistor approaches.该技术的SuperFlash ®和存储单元有一个，数量逻辑器件的重要优势，为设计和生产快闪记忆体EEPROM的，或嵌入的SuperFlash方法相比时，两个晶体管的薄氧化层堆积门。 These advantages translate into significant cost and reliability benefits for the user.这些优势转化为效益显着的成本和可靠性为用户。 SST的超快闪®技术通常使用一个简单的过程中掩蔽层较少，相对于其他闪存EEPROM的方法。越少掩蔽步骤大大降低了制造晶片的成本。提高可靠性，减少潜在的缺陷密度，即少层暴露于可能存在缺陷造成的机制。 SST的分裂栅存储单元的大小相当于单个晶体管堆叠一门技术，一定程度细胞（），但提供的性能和传统的两个晶体管可变字节E2PROM的细胞可靠性。按照设计，海温分裂栅存储器单元消除了孤立于位线每个存储单元的堆积门问题。“清除打扰”不可能发生，因为所有的字节擦除同时在同一页，在任何高压操作每一页是完全孤立的其他每一页。
