串行Flash(25系列)
韧体Flash (49系列)
ConcurrentSuperFlash(36系列)
ComboMemory(32&34系列)
FlashFlex51 Microcontroller(89系列)
ATA Flash Disk Controller(55系列)
Communications ICs(12系列)
Multi-Purpose Flash(39系列)
Small-Sector Flash(28&29系列)
Many-Time Programmable(27&37系列)
5V高速异步SRAM
5V低功耗异步SRAM
高速低功耗异步SRAM
PowerSaverTM低功耗异步SRAM
Pseudo SRAM
3.3V同步DRAM
SAMSUNG-韩国三星
HYNIX-韩国现代
Winbond-华邦
ESMT-晶豪科技
Micron Technology-镁光
Eeron-钰创
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•串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash来讲,它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点。•重要特征•操作电压:2.7-3.6V 或者3.0-3.6V 读和写操作•4 线串行接口结构•具有wrap-around特点的连续字节读操作•低功耗: 7mA(典型),待机:8uA(典型)•灵活的擦除能力: 4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip-Erase能力•快速擦除时间:Sector-Erase或者Block-Erase::18ms(典型)•字节编程:14us(典型)•最大操作时钟频率可达50MHz•对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程•通过WP#引脚可实现硬件写保护
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