GLS29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快

编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：358

GLS29EE010-90-4C-NHE是一款128K x8 CMOS以页为单位写入的EEPROMs,由SST独家专利制造，高性能CMOS超级闪存技术。与其他替代方法相比，它的分栅单元设计和厚的氧化层隧道注入器使其获得更好的可靠性和可制造性。这款产品写入是由单电源供电。内部擦除/编程对用户来说都是透明的。这款产品符合JEDEC标准插脚引线，适用于字节宽度存储器。

GLS29EE010-90-4C-NHE主要特点

体积小– 小扇区架构– 工业标准，微型封装

GLS29EE010-90-4C-NHE通过认证的专业技术

– 可擦写100,000次

– 数据可保存100年

– 编程和擦除速度快

– 数据保护

– 封装满足JEDEC标准

灵活性

– GLS27 : 封装和引脚分配同EPROM/OTP

– GLS29 : 页写操作，闪存内部的擦除/

编程操作对外部系统是透明的

– GLS36 : 具有2K word统一的扇区擦除、

32K word块擦除、芯片擦除功能

– GLS37 : 标准封装和引脚分配

GLS29EE010-90-4C-NHE现货产品图片

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GLS29EE010-90-4C-NHE技术参数

Type	Voltage	Density	Read Access Speed	Temperature Range
x8 Page-Write EEPROM	4.5-5.5	1 Mbit	70 ns 90 ns	GLS29EE010-90-4C-NHE0°C to +70°C GLS29EE010-90-4I-NHE-40°C to +85°C