新鲜到货IS61WV51216EDBLL-10TLI新批次20年第13周生产ISSI优质SRAM高速低功耗
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-05-26 10:59 | 浏览次数:257
IS61WV51216EDBLL-10TLI简介
IS61WV51216EDBLL是高速8M位静态RAMs以16位的512K字组织。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程加上创新电路设计技术,产生高性能和低功耗设备。当CE高(取消选择)时,设备假设一种待机模式,在这种模式下,功耗可以是降低CMOS输入电平。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE,可以方便地扩展存储器。积极的低写入启用(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节(UB)以及低字节(LB)访问。该设备采用JEDEC标准封装TSOP44和BGA48(6mm x 8mm)。
IS61WV51216EDBLL-10TLI型号标识 / 参数
51216基本型号,表示容量512K*16
EDB版本号
IS61WV51216EDBLL-10TLI特征
•高速访问时间:8、10、20 ns
•高性能、低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地插脚
抗噪性
•使用CE和OE选项轻松扩展内存
•CE断电
•全静态操作:无时钟或刷新
输出
•TTL兼容的输入和输出
•单电源
–Vdd=1.65V至2.2V(IS61W51216EDall)
–Vdd=2.4V至3.6V(IS61/64WV51216EDBLL)
•IS61WV51216EDBLL提供封装:
–BGA48(6毫米x 8毫米)
–TSOP44(II型)
•工业和汽车温度支持
•无铅产品
•上下字节的数据控制
IS61WV51216EDBLL-10TLI功能框图