SST36VF1601G-70-4I-L1PE小封装BGA存储器16M,价格美丽,有单价格可谈
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数:154
宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2018年最新批次,交期快,原厂原装现货,可提供技术支持,SST36VF1601G-70-4I-L1PE是一款并行16M(1M x16 or 2M x8)存储器,使用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造,单电压操作和读写2.3-3.6V,快速读取访问时间:70Ns,低功耗 : 7mA(典型),待机:8uA(典型) ,存储器BGA48引脚,芯片可以擦写10,000次,数据可保留100年,产品可以耐高温85度,耐低温零下40度,更多产品资料请与在线客服联系。
SST36VF1601G-70-4I-L1PE高清图,细节图,原厂原装现货供应,有单价格好谈。
SST36VF1601G-70-4I-L1PE特征:
组织为1MX16或2MX8
并发的双银行体系结构
读写操作
- 16兆位的底部扇区保护
- SST36VF1601G:4兆位+ 12兆位
- 16兆位顶部扇区保护
- SST36VF1602G:12兆位+ 4兆位
2.2.3.6V的读写操作
优越的可靠性
-耐力:100000个周期(典型)
超过100年的数据保存
Low Power消费:
-有源电流:6毫安典型
待机电流:4μA典型
-自动低功耗模式:4μA典型
硬件扇区保护/ WP输入引脚
-保护4个最外层扇区(8 kWord)
在较小的银行,通过驱动WP
驾驶不防护
硬件复位引脚(RST)
SST36VF1601G和SST36VF1602G是1Mx16或2Mx8CMOS并行读写闪存,采用SST专有的高性能CMOS超级闪存技术人工制造,与替代方法相比,分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和制造性,器件采用2.7-3.6V电源进行写入(编程或擦除),符合JEDEC标准的x8/x16存储器引脚。
SST36VF1601G-70-4I-L1PE封装设计图