ISSIIS61LV6416/IS61LV6416L是一个高速的1048576位静态RAM，16位组成65536字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，在低功耗的情况下，获得高达8ns的访问时间。当CE为高（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下，功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE，可以方便地扩展存储器。积极的低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。IS61LV6416/IS61LV6416L采用JEDEC标准SOJ44(400 mil) 、TSOP44-II和BGA48（6mm x 8mm）封装。

IS61LV6416-10TLI特征

•高速接入时间：8、10、12 ns

•CMOS低功耗操作

-61LV6416：

75mW（典型）工作电流

0.5 mW（典型）备用电流

-61LV6416L：

65mW（典型）工作电流

50微瓦（典型）待机电流

•TTL兼容接口级别

•单个3.3V电源

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•上下字节的数据控制

•可提供工业温度

•符合RoHS 无铅

ISSIIS61LV6416/IS61LV6416L是一个高速的1048576位静态RAM，16位组成65536字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，在低功耗的情况下，获得高达8ns的访问时间。当CE为高（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下，功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE，可以方便地扩展存储器。积极的低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。IS61LV6416/IS61LV6416L采用JEDEC标准SOJ44(400 mil) 、TSOP44-II和BGA48（6mm x 8mm）封装。

IS61LV6416-10TLI特征

•高速接入时间：8、10、12 ns

•CMOS低功耗操作

-61LV6416：

75mW（典型）工作电流

0.5 mW（典型）备用电流

-61LV6416L：

65mW（典型）工作电流

50微瓦（典型）待机电流

•TTL兼容接口级别

•单个3.3V电源

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•上下字节的数据控制

•可提供工业温度

•符合RoHS 无铅