ISSI IS61/64W6416BLL是一个高速的1048576位静态RAM，16位65536字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这一高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗下可获得高达12ns（3.3V+10%）和15ns（2.5V-3.6V）的访问时间消费。当CE很高（取消选择），设备采用待机模式，在这种模式下，通过CMOS输入可以降低功耗水平。简单提供内存扩展通过使用芯片使能和输出使能输入，CE和OE。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。访问IS61/64WV6416BLL采用JEDEC标准TSOP44-II和BGA48（6mm x 8mm）封装。

IS61WV6416BLL-12TLI特征

•高速访问时间：

12纳秒：3.3伏+10%

15ns:2.5V-3.6V

•CMOS低功耗操作：

50兆瓦（典型）运行

25微瓦（典型）备用

•TTL兼容接口级别

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•上下字节的数据控制

•提供汽车温度

•提供ROHS无铅

ISSI IS61/64W6416BLL是一个高速的1048576位静态RAM，16位65536字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这一高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗下可获得高达12ns（3.3V+10%）和15ns（2.5V-3.6V）的访问时间消费。当CE很高（取消选择），设备采用待机模式，在这种模式下，通过CMOS输入可以降低功耗水平。简单提供内存扩展通过使用芯片使能和输出使能输入，CE和OE。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。访问IS61/64WV6416BLL采用JEDEC标准TSOP44-II和BGA48（6mm x 8mm）封装。

IS61WV6416BLL-12TLI特征

•高速访问时间：

12纳秒：3.3伏+10%

15ns:2.5V-3.6V

•CMOS低功耗操作：

50兆瓦（典型）运行

25微瓦（典型）备用

•TTL兼容接口级别

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•上下字节的数据控制

•提供汽车温度

•提供ROHS无铅