ISSIIS62WV1288ALL/IS62WV1288BLL是高速、1M位静态RAM，由8位组成128K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，生产出高性能、低功耗的器件。当CS1为高（取消选择）或CS2为低（取消选择）时，该器件采用待机模式，在该模式下，可以使用CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入提供容易的存储器扩展。活动低写入启用（WE）控制记忆IS62WV1288ALL和IS62WV1288BLL提供封装是JEDEC标准TSOP32（I型）、sTSOP32（I型）SOP32和BGA36

IS62WV1288BLL-55HLI特征

•高速接入时间：45ns、55ns、70ns

•CMOS低功耗操作：

30兆瓦（典型）运行

15微瓦（典型）CMOS待机

•TTL兼容接口级别

•单电源：

1.65V--2.2V VDD（62WV1288ALL）

2.5V--3.6V VDD（62WV1288BLL）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•可提供工业温度

•提供RoHs无铅

ISSIIS62WV1288ALL/IS62WV1288BLL是高速、1M位静态RAM，由8位组成128K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，生产出高性能、低功耗的器件。当CS1为高（取消选择）或CS2为低（取消选择）时，该器件采用待机模式，在该模式下，可以使用CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入提供容易的存储器扩展。活动低写入启用（WE）控制记忆IS62WV1288ALL和IS62WV1288BLL提供封装是JEDEC标准TSOP32（I型）、sTSOP32（I型）SOP32和BGA36

IS62WV1288BLL-55HLI特征

•高速接入时间：45ns、55ns、70ns

•CMOS低功耗操作：

30兆瓦（典型）运行

15微瓦（典型）CMOS待机

•TTL兼容接口级别

•单电源：

1.65V--2.2V VDD（62WV1288ALL）

2.5V--3.6V VDD（62WV1288BLL）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•可提供工业温度

•提供RoHs无铅