ISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLL是高速、1M位静态RAM，由16位组成64K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，生产出高性能、低功耗的器件。当CS1为高（取消选择）或当CS2为低（取消选择）或当CS1为低、CS2为高且LB和UB均为高时，器件采用待机模式，在该模式下，可以使用CMOS输入降低功耗水平。简单通过使用芯片使能和输出使能输入提供存储器扩展。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。IS62WV6416ALL和IS62WV6416BLL采用Jetec标准BGA48（6mm x 8mm）和TSOP44（II型）封装。

IS62WV6416BLL-55TLI特征

•高速接入时间：45ns，55ns

•CMOS低功耗操作：

30兆瓦（典型）运行

15微瓦（典型）CMOS待机

•TTL兼容接口级别

•单电源

1.7V--2.2V VDD（62WV6416所有）

2.5V--3.6V VDD（62WV6416BLL）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•上下字节的数据控制

•可提供工业温度

•提供2CS选项

•提供符合无铅产品

IS62WV6416BLL-55TLI框架图

ISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLL是高速、1M位静态RAM，由16位组成64K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，生产出高性能、低功耗的器件。当CS1为高（取消选择）或当CS2为低（取消选择）或当CS1为低、CS2为高且LB和UB均为高时，器件采用待机模式，在该模式下，可以使用CMOS输入降低功耗水平。简单通过使用芯片使能和输出使能输入提供存储器扩展。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。IS62WV6416ALL和IS62WV6416BLL采用Jetec标准BGA48（6mm x 8mm）和TSOP44（II型）封装。

IS62WV6416BLL-55TLI特征

•高速接入时间：45ns，55ns

•CMOS低功耗操作：

30兆瓦（典型）运行

15微瓦（典型）CMOS待机

•TTL兼容接口级别

•单电源

1.7V--2.2V VDD（62WV6416所有）

2.5V--3.6V VDD（62WV6416BLL）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•上下字节的数据控制

•可提供工业温度

•提供2CS选项

•提供符合无铅产品

IS62WV6416BLL-55TLI框架图