答疑精选｜高耐久闪存（HEF）在写入或擦除过程中断电的风险分析

常见问题

问：在高耐久数据闪存（High Endurance Flash, HEF）执行写入或擦除操作时，如果系统突然断电，会有哪些潜在风险？

回答：

在系统运行过程中，如果在写入或擦除 HEF 的过程中发生断电，可能会导致程序存储区（Program Flash）中的数据也受到影响。这是因为闪存阵列的具体组织结构未在官方文档中详细说明，除了已知 HEF 区域地址范围为 0x1F80h - 0x1FFFh。

从结构上来看，某些闪存芯片在进行“行擦除（Row Erase）”时，可能不只擦除HEF区域，还会同时影响到与之相邻的程序存储区域。也就是说，即便您只是在访问HEF，程序代码本身也可能遭遇非预期的擦除或损坏风险。

值得注意的是，HEF与普通程序闪存的唯一区别，仅在于其支持更高的写入/擦除次数，并不具备独立的数据保护机制。

建议措施

为了最大程度减少断电带来的数据丢失或程序损坏风险，强烈建议在设计中启用 Brown-out Reset（BOR）功能。

BOR 能够在检测到电源电压下降时，主动复位系统，从而避免在电压不稳时触发不安全的 Flash 操作。

在嵌入式应用中，高可靠性存储至关重要。即使是高耐久闪存，在电源异常时也存在数据一致性和程序完整性的风险。因此，采取合适的系统电源管理机制，是保障闪存安全运行的关键一步。

📚【技术小科普】为什么写 HEF 会影响程序区？

Flash 的擦除操作，通常以“页”或“行”为单位，而不是只擦一个字节。这就像你想擦掉一行笔记，结果整页纸都擦掉了。

而且：在某些 MCU 中，HEF 虽然逻辑上独立，物理上却可能与程序存储区共用一个“擦除块”。当你执行一次 HEF 的“擦除行”指令，可能实际上擦的是一个覆盖多个区域的物理块——包括 HEF 和一部分程序代码。如果这个时候断电，程序就很可能“中招”。