旺宏 (2337) 三维储存型快闪存储器(3D NAND Flash)产品开发有新进展,96层3D NAND Flash产品于去年12月量产。
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2023-02-23 14:05 | 浏览次数:129
MXIC旺宏为全球唯读存储器(ROM)龙头,在编码型快闪存储器(NOR Flash)领域也居领先地位,近年在3D NAND Flash的进展备受市场关注。
旺宏48层3D NAND Flash产品于2021年9月量产,据旺宏官网最新资料显示,96层3D NAND Flash于2022年12月量产。旺宏先前表示,预计2023年底进一步完成192层3D NAND Flash产品开发。
因应3D NAND Flash研发及营运所需,旺宏董事会去年12月通过新台币26.48亿元资本预算,包含2023年资本支出及3D NAND Flash研发机器设备,预计2023年第1季起陆续投资。
MXIC旺宏同时持续推进序列式快闪存储器技术,今年1月开始量产45奈米3V序列式快闪存储器(SerialFlash)系列产品。
当三维储存型快闪存储器的堆层数越高,每一堆层的厚度会越薄,芯片尺寸会变得更小,另一方面,芯片容量却能因此大幅提升,实现了尺寸变小、容量变大的目标。
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