ISSIIS61WV5128AXX和IS61/64WV5128Bxx是非常高速、低功耗、524288字的8位CMOS静态RAM。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx采用ISIS的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了更高的性能和更低的功耗设备。当CE高（取消选择），器件采用待机模式，在这种模式下，功耗可以通过CMOS输入电平降低。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx使用单一电源供应IS61WV5128ALL和IS61/64WV5128BLL有SOJ36(400 mil )、BGA36和TSOP44（II型）可供选择包裹IS61WV5128ALS和IS61/64WV5128BLS有TSOP32（I型）、sTSOP32（I型）、SOP32和TSOP32（II型）包装.

IS61WV5128BLL-10TLI特征

高速：（IS61/64WV5128ALL/BLL）

•高速接入时间：8、10、20 ns

•低有功功率：85兆瓦（典型）

•低待机功率：7 mW（典型）CMOS待机

低功耗：（IS61/64WV5128ALS/BLS）

•高速接入时间：25，35ns

•低有功功率：35兆瓦（典型）

•低待机功率：0.6 mW（典型）CMOS待机

•单电源

-Vdd 1.65V至2.2V（IS61WV5128Axx）

-Vdd 2.4V至3.6V（IS61/64WV5128Bxx）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•工业和汽车温度支持

•提供ROHS无铅

ISSIIS61WV5128AXX和IS61/64WV5128Bxx是非常高速、低功耗、524288字的8位CMOS静态RAM。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx采用ISIS的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了更高的性能和更低的功耗设备。当CE高（取消选择），器件采用待机模式，在这种模式下，功耗可以通过CMOS输入电平降低。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx使用单一电源供应IS61WV5128ALL和IS61/64WV5128BLL有SOJ36(400 mil )、BGA36和TSOP44（II型）可供选择包裹IS61WV5128ALS和IS61/64WV5128BLS有TSOP32（I型）、sTSOP32（I型）、SOP32和TSOP32（II型）包装.

IS61WV5128BLL-10TLI特征

高速：（IS61/64WV5128ALL/BLL）

•高速接入时间：8、10、20 ns

•低有功功率：85兆瓦（典型）

•低待机功率：7 mW（典型）CMOS待机

低功耗：（IS61/64WV5128ALS/BLS）

•高速接入时间：25，35ns

•低有功功率：35兆瓦（典型）

•低待机功率：0.6 mW（典型）CMOS待机

•单电源

-Vdd 1.65V至2.2V（IS61WV5128Axx）

-Vdd 2.4V至3.6V（IS61/64WV5128Bxx）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•工业和汽车温度支持

•提供ROHS无铅