【存储器】并购、扩产动作不断，2018存储产业大事件回顾

过去一年，存储产业并购、建厂、扩产、投产动作不断，哪些厂商的布局令你印象深刻？不妨跟着全球半导体观察的脚步，一同回顾2018年存储产业大事件。

Part 1、收购篇

Synopsys收购Kilopass

2018年1月11日，全球顶先的EDA和IP供应商Synopsys以非公开的价格收购了非易失性内存IP供应商Kilopass，通过收购继续构建其庞大的知识产权组合。

Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可编程非易失性存储器IP的先驱，收购将进一步完善其公司汽车、物联网、工业和移动应用的现有非易失存储器IP产品组合。Kilopass IP将支持其现有DesignWare的非易失性存储器IP一次性和多次可编程，支持在180 nm至7 nm工艺技术中实现高达4 Mbit的一次性可编程实例。

兆易创新并购思立微

2018年1月30日晚间，北京兆易创新科技股份有限公司发布《发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金预案（摘要）》公告，公告表示，兆易创新拟通过发行股份及支付现金的方式购买上海思立微电子科技有限公司100%股权。

兆易创新目前是中国大陆领先的闪存芯片设计企业。思立微全名为上海思立微电子科技有限公司，于2011 年1月27日在上海成立，公司主营业务为智能移动终端传感器SoC芯片和解决方案的研发与销售，主要产品为电容触控芯片及指纹识别芯片，产品主要应用于手机及平板电脑。

贝恩资本收购东芝存储

2018年6月初，全球领先的存储解决方案提供商希捷科技公司宣布与贝恩资本为首的财团投资者完成了对东芝存储公司（Toshiba Memory Corporation）的收购，希捷出资12.7亿美元。这项收购计划此前就曾宣布，并特意为此次收购计划组建了名为K.K.Pangea的新公司。

在2017年，在贝恩资本所牵头财团收购东芝芯片业务的交易计划中，希捷科技公司表示将贡献12.5亿美元。关于被收购的事情，东芝表示，已签署协议将芯片业务以180亿美元价格出售给贝恩资本牵头的财团。东芝一直在努力筹措资金，以避免被摘牌的命运。除希捷外，贝恩资本财团中还包括苹果、韩国芯片商SK海力士、戴尔和金士顿。

联电并购三重富士通半导体

2018年6月29日，联电与富士通半导体有限公司共同宣布，联电将购买与富士通半导体所合资的12英寸晶圆厂三重富士通半导体股份有限公司(MIFS)全部股权，交易金额不超过576.3亿日元。为联电进一步建立多元化量产12英寸厂之生产基地。

三重富士通半导体（MIFS）前身为富士通股份有限公司三重工厂，自1984年开始运营以来，作为最先端存储器等产品的研发、量产据点，助力富士通半导体快速发展。如今，MIFS是日本为数不多的300mm晶圆代工厂之一，B1厂采用90nm工艺，B2厂初始采用65nm工艺，2016年初开始40nm商用生产，2016年下半年40nm正式进入量产阶段。

美光并购与英特尔合资的IM Flash

2018年10月19日，美光科技宣布，将收购与英特尔十多年前组建的一家闪存合资公司的股份。

美光同意斥资15亿美元收购英特尔持有的IM Flash Technologies股份，并预计将在明年1月1日行使购买选择权后6至12个月完成交易。该公司CFO戴夫·金斯纳（Dave Zinsner）在会议上表示，美光科技将通过自由现金流支付收购款项。

犹他州工厂不仅距离该公司爱达荷州的总部很近，而且是全世界唯一可以生产3D XPoint技术的工厂。这种非挥发性存储可以提升存储性能，还能降低服务器的存储成本。

Part 2 建厂、扩产、投产篇

江苏时代芯存相变存储器工厂启动运营

2018年3月底，总投资130亿元的江苏时代芯存半导体有限公司用时9个月实现厂房封顶，历时1年22天投入使用，同时完成所有设备采购，首台设备进厂。这标志着淮安已成为大陆地级市中唯一同时拥有两个12英寸高水准项目（另一个为德淮半导体项目）的地区。项目全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能，年可实现销售45亿元，利税3亿元，淮安将成为大陆集成电路产业发展的重要增长极。

东芝建新厂增产3D NAND

东芝旗下半导体事业子公司“东芝存储器(TMC)”2018年5月宣布，因3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中长期需求料将呈现扩大，因此为了扩增3D NAND Flash产能，决定将在2018年7月于岩手县北上市着手兴建新工厂，该座北上新厂厂房预计将在2019年完工。

TMC指出，上述北上新厂将采用耐震结构、最新的省能源制造设备，且将导入活用人工智能(AI)的生产系统，提升生产效能、改善良率。

东芝与西数合资厂量产96层3D NAND

日本存储器大厂东芝存储器与西数（Western Digital）2018年9月19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心（Memory R&D Center）。

东芝存储器是自2017年2月开始兴建6号晶圆厂，为生产3D NAND Flash快闪存储器的专用生产厂区。东芝存储器与西数已针对沉积（deposition）与蚀刻（etching）等关键生产制程开始部署先进制造设备，新厂已经在9月初开始量产新一代96层3D NAND Flash。

三星西安NAND工厂3月底启动扩产

2018年3月，三星宣布，三星位于西安的NAND工厂3月底启动扩产。三星未来三年将斥资70亿美元，扩大西安厂区NAND Flash产能，西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片，增幅约67%。这是三星去年宣布增产DRAM之后，再次在存储器芯片领域砸下重金扩产，为全球存储器市场再次投下一颗震撼弹。

美光新加坡第三座3D NAND工厂动工

2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工厂动工，该新工厂是美光Fab 10扩建的第三期工程，占地165,000平方米，预计会在2019年中完工，在2019年第四季度投产。工厂的量产还需要几个季度的时间，因此预计大量的3D NAND存储器将在2020年底之前产出。目前，美光在新加坡有两座300mm 3D NAND工厂，分别Fab 10N和Fab 10X。 这些工厂目前生产美光的NAND Flash的大部分份额。

英特尔大连厂2期投产

继2015年宣布其总投资55亿美元的大连的Fab 68晶圆厂第2期工程改造为NAND Flash快闪存储器工厂之后，英特尔2018年5月宣布已经正式投产。未来，主要将生产96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器，积极追赶竞争对手的市占率。

SK海力士开建第7座工厂

2018年12月，SK Hynix正式开工建设第7座半导体工厂──M16厂，总投资不低于15万亿韩元（约133亿美元）。虽然还没确定最终生产NAND Flash还是DRAM，但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的EUV光刻技术。

此外，在2018年10月份，SK Hynix才刚完成最新的M15工厂兴建，已正式进入量产，且该工厂是2015年SK Hynix宣布将斥资的46万亿韩元投资计划中的一部分。

M15工厂位于韩国清州市，投资额高达15万亿韩元，以生产3D NAND Flash为主，初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash，2019年开始，就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。