新闻｜GlobalFoundries®和Microchip宣布Microchip的28纳米SuperFlash®嵌入式闪存解决方案投入生产

亚利桑那州钱德勒和纽约马耳他，2023 年 9 月 27 日–GlobalFoundries (GF® )（纳斯达克股票代码：GFS）和 Microchip Technology （纳斯达克股票代码：MCHP）通过Microchip 的Silicon Storage Technology® ( SST® )子公司今天宣布立即在 GF 28SLPe 代工工艺中投入生产 SST ESF3 第三代嵌入式 SuperFlash 技术 NVM 解决方案。格芯为实施SST广泛部署的ESF3 SuperFlash技术建立了新的行业基准。该实现提供以下功能和优势:成本最低的28纳米HKMG ESF3解决方案，仅添加了10个掩模，包括真正的5V IO CMOS器件，极具竞争力的SST ESF3位单元尺寸小于0.05微米平方，工作温度等级为- 40°C至125°C，低于25纳秒(ns)的读取访问时间，10微秒的程序时间和4毫秒的擦除时间耐久性超过100,000个程序/擦除周期使用GF 28SLPe平台合格的IP (EG流)不影响设计流程立即可用现成的宏从4兆(Mb)到32兆(Mb)访问自定义宏设计支持从嵌入式闪存的SST或GFUse案例正在爆炸的驱动，以提高智能在边缘。用于安全代码存储、无线更新和增强功能的嵌入式内存在家庭和工业物联网以及智能移动设备中的广泛应用中正在兴起。需要创新的平台来满足这些需求。格芯首席业务部门官Mike Hogan表示:“格芯很荣幸能与SST合作，在我们强大的28SLPe平台上开发、认证并发布这一令人印象深刻的嵌入式NVM解决方案。格芯的客户发现，这种高性能、卓越的可靠性、IP可用性和成本效益的组合非常适合用于消费和工业产品的先进mcu、复杂智能卡和物联网芯片。SST Microchip授权业务部副总裁Mark Reiten补充说:“在过去的十年中，SST和格芯密切合作，将SST的行业标准ESF1和ESF3嵌入式闪存技术集成到格芯的130纳米BCD、55纳米、40纳米和现在的28纳米代工平台中，并将其产品化。”“我们对格芯在最广泛的嵌入式NVM解决方案中建立的领导地位感到兴奋，并期待我们的密切合作伙伴关系在未来十年带来更多突破。”

参考资料

来源: MICROCHIP

链接: [https://www.microchip.com/en-us/about/news-releases/corporate/globalfoundries-microchip-announce-microchips-28nm-superflash]

标题名字: [GlobalFoundries® and Microchip Announce Microchip’s 28-nm SuperFlash® Embedded Flash Memory Solution in Production]