产业洞察｜DRAM和NAND Flash合约价季度涨幅上修：市场因应HBM3e和AI趋势调整

据最新数据TrendForce集邦咨询预计，第二季度DRAM合约价季度涨幅将上调至13~18%，而NAND Flash合约价季度涨幅也同步上调至约15~20%。此次涨价影响范围广泛，仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约为10%。

此前，TrendForce集邦咨询的预估显示，第二季度DRAM合约价季度涨幅约为3~8%，而NAND Flash为13~18%。然而，403地震前市场已出现连续走弱的现象，现货价格下跌，交易量降低。这主要归因于终端需求不振，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求未见复苏，导致买方库存增加，尤其是PC OEM。另外，DRAM和NAND Flash已连续涨价2~3个季度，买方对于再次接受大幅涨价的意愿降低。

中国台湾花莲403地震后，一些PC OEM供应商基于特殊考虑，零星接受了高涨的DRAM和NAND Flash合约价，但成交情况有限。至4月下旬，相关业者完成了新一轮合约价议价，涨幅超出了预期，推动了TrendForce集邦咨询对第二季度DRAM和NAND Flash合约价涨幅的同步上调。这一调整不仅反映了买方欲支撑库存价值的意愿，还包含了供需两端对AI市场展望的考量。

TrendForce集邦咨询指出，原厂担心HBM产能排挤效应，特别是三星公司采用1alpha制程节点生产的HBM3e产品，预计到2024年底将占用1alpha制程产能的约六成，进一步排挤DDR5供给量。此外，第三季度HBM3e生产放量可能导致供应短缺，因此买方开始提前备货，以对抗可能出现的HBM供应短缺。

与此同时，随着节能成为AI推理服务器的重要考量因素，北美云端服务业者扩大采用QLC Enterprise SSD作为存储解决方案，带动了对QLC Enterprise SSD的需求增长，并加速了部分供应商的库存消化。然而，受限于消费性产品需求复苏情况不明朗，原厂对非HBM晶圆产能的资本支出趋于保守，尤其是价格仍处于损益平衡点的NAND Flash。

以上数据显示，市场在应对HBM3e和AI趋势的调整中，对DRAM和NAND Flash合约价季度涨幅做出了相应调整，以应对供需变化和未来市场动态。