串行四线I/O（Serial Quad I/O™，SQI™）闪存器件系 列采用6线4位I/O接口，可在低引脚数封装内实现低功 耗和高性能。此外，SST26VF064BEUI还支持与传统 串行外设接口（SPI）协议完全兼容的命令集。使用 SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间较少，最终 可降低系统成本。 SQI 26 系列的所有产品均采用专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造。与其他方法相比，分离栅极单 元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可 制造性。 SST26VF064BEUI可在降低功耗的同时显著提高性能 和可靠性。这些器件使用2.3-3.6V的单电源进行写操作 （编程或擦除）。总能耗是应用中施加电压、电流和时 间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash技 术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除 或编程操作期间的总能耗低于其他闪存技术。 SST26VF064BEUI提供8触点WDFN（6 mm x 5 mm） 和8引脚SOIJ（5.28 mm）封装。

特性 • 出厂已编程EUI-48和EUI-64全局惟一标识符 - 串行闪存可发现参数（Serial Flash Discoverable Parameter，SFDP）表支持安全只读访问 • 单电压读写操作 - 2.7-3.6V或2.3-3.6V • 串行接口架构 - 采用类SPI串行命令结构的半字节宽复用I/O - 模式0和模式3 - x1/x2/x4串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议 • 高速时钟频率 - 2.7-3.6V：最高104 MHz - 2.3-3.6V：最高80 MHz • 突发模式 - 连续线性突发 - 8/16/32/64字节带折回线性突发 • 超高可靠性 - 可擦写次数：100,000次（最小值） - 数据保存时间大于100年 • 低功耗： - 读操作工作电流：15 mA（104 MHz时的典 型值） - 待机电流：15 µA（典型值） • 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型值），25 ms（最 大值） - 全 片 擦 除：35 ms（典 型 值），50 ms（最 大值） • 页编程 - x1或x4模式下每页256字节 • 写操作结束检测 - 软件轮询状态寄存器中的BUSY位 • 灵活的擦除功能 - 统一4 KB扇区 - 4个8 KB顶部和底部参数覆盖块 - 1个32 KB顶部和底部覆盖块 - 统一64 KB覆盖块 • 写暂停 - 暂停编程或擦除操作以访问另一个块/扇区 • 软件复位（RST）模式 • 软件保护 - 具有永久锁定能力的独立块写保护

串行四线I/O（Serial Quad I/O™，SQI™）闪存器件系 列采用6线4位I/O接口，可在低引脚数封装内实现低功 耗和高性能。此外，SST26VF064BEUI还支持与传统 串行外设接口（SPI）协议完全兼容的命令集。使用 SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间较少，最终 可降低系统成本。 SQI 26 系列的所有产品均采用专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造。与其他方法相比，分离栅极单 元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可 制造性。 SST26VF064BEUI可在降低功耗的同时显著提高性能 和可靠性。这些器件使用2.3-3.6V的单电源进行写操作 （编程或擦除）。总能耗是应用中施加电压、电流和时 间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash技 术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除 或编程操作期间的总能耗低于其他闪存技术。 SST26VF064BEUI提供8触点WDFN（6 mm x 5 mm） 和8引脚SOIJ（5.28 mm）封装。

特性 • 出厂已编程EUI-48和EUI-64全局惟一标识符 - 串行闪存可发现参数（Serial Flash Discoverable Parameter，SFDP）表支持安全只读访问 • 单电压读写操作 - 2.7-3.6V或2.3-3.6V • 串行接口架构 - 采用类SPI串行命令结构的半字节宽复用I/O - 模式0和模式3 - x1/x2/x4串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议 • 高速时钟频率 - 2.7-3.6V：最高104 MHz - 2.3-3.6V：最高80 MHz • 突发模式 - 连续线性突发 - 8/16/32/64字节带折回线性突发 • 超高可靠性 - 可擦写次数：100,000次（最小值） - 数据保存时间大于100年 • 低功耗： - 读操作工作电流：15 mA（104 MHz时的典 型值） - 待机电流：15 µA（典型值） • 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型值），25 ms（最 大值） - 全 片 擦 除：35 ms（典 型 值），50 ms（最 大值） • 页编程 - x1或x4模式下每页256字节 • 写操作结束检测 - 软件轮询状态寄存器中的BUSY位 • 灵活的擦除功能 - 统一4 KB扇区 - 4个8 KB顶部和底部参数覆盖块 - 1个32 KB顶部和底部覆盖块 - 统一64 KB覆盖块 • 写暂停 - 暂停编程或擦除操作以访问另一个块/扇区 • 软件复位（RST）模式 • 软件保护 - 具有永久锁定能力的独立块写保护