W29N01HVSINA

W29N01HV (1G-bit) NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是理想的代码阴影到RAM，固态应用程序和存储媒体数据，如语音，视频，文本和照片。该器件工作在单个2.7V至3.6V电源，有源电流消耗低至25mA 10uA CMOS待机电流。内存数组总计138,412,032字节，并被组织成1,024个可擦除的135,168字节块。每个块由64个可编程页面组成，每个页面2112字节。每个页面包含2,048字节的主数据存储区域和64字节的备用数据区域(备用区域通常用于错误管理功能)。W29N01HV支持标准的NAND闪存接口，使用多路8位总线传输数据、地址和命令指令。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE这五个控制信号处理总线接口协议。此外，该设备还有另外两个信号引脚，#WP(写保护)和RY/#BY(就绪/繁忙)，用于监控设备状态。

W29N01HVSINA 是 Winbond 公司生产的一款 NAND Flash 存储器芯片。以下是它的特点和规格：

特点

1. NAND Flash 存储器：W29N01HVSINA 是一款存储器芯片，采用 NAND Flash 技术，可以用于数据存储和读写操作。

2. 容量：W29N01HVSINA 的容量为 1GB（8 Gbit），可以存储大量的数据。

3. 快速读写速度：W29N01HVSINA 支持快速的读写操作，可以提供高效的数据访问性能。

4. 块和页结构：W29N01HVSINA 使用块（Block）和页（Page）的结构组织数据，可实现高密度存储和灵活的数据管理。

5. 可靠性和耐用性：W29N01HVSINA 具有良好的可靠性和耐用性，采用了先进的存储器技术和错误纠正机制，可提供稳定的数据存储和保护。

规格

1. 供电电压：W29N01HVSINA 的供电电压范围为 2.7V 至 3.6V。

2. 接口：W29N01HVSINA 支持标准的 NAND Flash 8-bit 数据接口。

3. 工作温度范围：W29N01HVSINA 的工作温度范围为 -40°C 至 85°C，适用于各种环境条件下的应用。

4. 封装：W29N01HVSINA 通常采用 SOP (Small Outline Package) 或 WSON (Very Very Thin Small Outline No-Lead) 封装形式，便于在电路板上进行安装和焊接。

总之，W29N01HVSINA 是一款 1GB 容量的 NAND Flash 存储器芯片，具有快速读写速度、可靠性和耐用性，适用于各种数据存储和读写应用。

W29N01HVSINA

W29N01HV (1G-bit) NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是理想的代码阴影到RAM，固态应用程序和存储媒体数据，如语音，视频，文本和照片。该器件工作在单个2.7V至3.6V电源，有源电流消耗低至25mA 10uA CMOS待机电流。内存数组总计138,412,032字节，并被组织成1,024个可擦除的135,168字节块。每个块由64个可编程页面组成，每个页面2112字节。每个页面包含2,048字节的主数据存储区域和64字节的备用数据区域(备用区域通常用于错误管理功能)。W29N01HV支持标准的NAND闪存接口，使用多路8位总线传输数据、地址和命令指令。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE这五个控制信号处理总线接口协议。此外，该设备还有另外两个信号引脚，#WP(写保护)和RY/#BY(就绪/繁忙)，用于监控设备状态。

W29N01HVSINA 是 Winbond 公司生产的一款 NAND Flash 存储器芯片。以下是它的特点和规格：

特点

1. NAND Flash 存储器：W29N01HVSINA 是一款存储器芯片，采用 NAND Flash 技术，可以用于数据存储和读写操作。

2. 容量：W29N01HVSINA 的容量为 1GB（8 Gbit），可以存储大量的数据。

3. 快速读写速度：W29N01HVSINA 支持快速的读写操作，可以提供高效的数据访问性能。

4. 块和页结构：W29N01HVSINA 使用块（Block）和页（Page）的结构组织数据，可实现高密度存储和灵活的数据管理。

5. 可靠性和耐用性：W29N01HVSINA 具有良好的可靠性和耐用性，采用了先进的存储器技术和错误纠正机制，可提供稳定的数据存储和保护。

规格

1. 供电电压：W29N01HVSINA 的供电电压范围为 2.7V 至 3.6V。

2. 接口：W29N01HVSINA 支持标准的 NAND Flash 8-bit 数据接口。

3. 工作温度范围：W29N01HVSINA 的工作温度范围为 -40°C 至 85°C，适用于各种环境条件下的应用。

4. 封装：W29N01HVSINA 通常采用 SOP (Small Outline Package) 或 WSON (Very Very Thin Small Outline No-Lead) 封装形式，便于在电路板上进行安装和焊接。

总之，W29N01HVSINA 是一款 1GB 容量的 NAND Flash 存储器芯片，具有快速读写速度、可靠性和耐用性，适用于各种数据存储和读写应用。