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SST26VF016B-104I/SM微芯高速存储器
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：290
SST26VF016B-104I/SM串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25/26系列串行flash来讲，它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点.
SST26VF016B-104I/SM产品特点: 操作电压：2.7-3.6V或者3.0-3.6V读和写操作 SST26VF016B-104I/SM有4线串行接口结构，具有wrap-around特点的连续字节读操作SST26VF016B-104I/SM低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ， 灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase，32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力SST26VF016B-104I/SM快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型) 字节编程：14us(典型) ，最大操作时钟频率可达104MHz ，对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程，通过WP#引脚可实现硬件写保护。
SST26VF016B-104I/SM型号编号命名规则
SST26VF016B-104I/SM型号封装体积区分
SST26VF016B-104I/SM更多产品推荐
型号（Device） | 容量（Density） | 电压（Voltage） | 时钟速度（MHz） | 封装（Packages） |
SST25VF512A | 512Kb(64Kx8) | 2.7-3.6V | 33 | SOIC-8,WSON-8 |
SST25VF010A | 1Mb(128Kx8) | 2.7-3.6V | 33 | SOIC-8,WSON-8 |
SST25VF020B | 2Mb(256Kx8) | 2.7-3.6V | 80 | SOIC-8,WSON-8 |
SST25VF040B | 4Mb(512Kx8) | 2.7-3.6V | 50 | SOIC-8,WSON-8 |
SST25VF080B | 8Mb(1Mx8) | 2.7-3.6V | 50 | SOIC-8,WSON-8 |
SST26VF016B | 16Mb(2Mx8) | 2.7-3.6V | 104 | SOIC-8,WSON-8 |
SST26VF032B | 32Mb(4Mx8) | 2.7-3.6V | 104 | SOIC-8,WSON-8 |
SST26VF064B | 64Mb(8Mx8) | 2.7-3.6V | 104 | SOIC-8,WSON-8 |
microchip超捷存储器选型推荐：SST26VF016B-104I/SM
