SST25VF020B-80-4I-SAE工业级别耐高温超捷存储器，低功耗，灵活的擦除能力

编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：292

SST25VF020B-80-4I-SAE串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25/26系列串行flash来讲，它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点.

SST25VF020B-80-4I-SAE产品特点: 操作电压：2.7-3.6V或者3.0-3.6V读和写操作 SST25VF020B-80-4I-SAE有4线串行接口结构，具有wrap-around特点的连续字节读操作SST25VF020B-80-4I-SAE低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ，灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase，32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力 SST25VF020B-80-4I-SAE快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型) 字节编程：14us(典型) ，最大操作时钟频率可达104MHz ，对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程，通过WP#引脚可实现硬件写保护。

SST25VF020B-80-4I-SAE型号编号命名规则

SST25VF020B-TT

SST25VF020B-80-4I-SAE

SST25VF020B-80-4I-SAE型号封装体积区分

SST25VF020B-GJ

SST25VF020B-80-4I-SAE更多产品推荐

型号（Device）	容量（Density）	电压（Voltage）	时钟速度（MHz）	封装（Packages）
SST25VF512A	512Kb(64Kx8)	2.7-3.6V	33	SOIC-8,WSON-8
SST25VF010A	1Mb(128Kx8)	2.7-3.6V	33	SOIC-8,WSON-8
SST25VF020B	2Mb(256Kx8)	2.7-3.6V	80	SOIC-8,WSON-8
SST25VF040B	4Mb(512Kx8)	2.7-3.6V	50	SOIC-8,WSON-8
SST25VF080B	8Mb(1Mx8)	2.7-3.6V	50	SOIC-8,WSON-8
SST26VF016B	16Mb(2Mx8)	2.7-3.6V	104	SOIC-8,WSON-8
SST26VF032B	32Mb(4Mx8)	2.7-3.6V	104	SOIC-8,WSON-8
SST26VF064B	64Mb(8Mx8)	2.7-3.6V	104	SOIC-8,WSON-8