S6R4016V1A-UI10最新新鲜2020年现货供应

宝星微科技代理NETSOL韩国SA-{attr}0{/attr}低功耗高速 Async FAST SRAM，容量4M，供电3.0-{attr}1013{/attr}，封装TSOP44，价格优势，高性能，高性价比,可替换ISSI,LYONTEK,BSI,Cypress等等

S6R4016V1A-UI10最新2020年现货供应实物图片

S6R4016V1A-UI10特征

•快速访问时间：8、10、12、15ns（最大值）

•CMOS低功耗

待机（TTL）：10mA（最大值）

（CMOS）：6毫安（最大值）

工作：35mA（最大8ns）

30mA（最大10ns）

2.4V~3.6V Vcc（汽车温度）

•单个3.3±0.3V或5.0±0.5V电源

-S6R40xxV1A:3.3±0.3V电源

-S6R40xxC1A:5.0±0.5V电源

•广泛的电源

-S6R40xxW1A:1.65V~3.6V Vcc（工业温度）

•TTL兼容的输入和输出

•全静态操作，无需时钟或刷新

•三态输出

•数据字节控制（x16模式）

LB:I/O0~I/O7，UB:I/O8~I/O15

•标准44TSOP2和48FBGA封装引脚

配置

•支持特殊的48FBGA封装引脚配置

（上字节和下字节在x16情况下交换）

•符合ROHS

•在商业和工业温度范围内运行。

S6R4016V1A-UI10一般说明

S6R4016（V/C/W）1A和S6R4008（V/C/W）1A是4194304位高速静态随机存取存储器orga-以16（8）位表示为256K（512K）字。S6R4016（V/C/W） 1A（S6R4008（V/C/W）1A）使用16（8）公共输入和输出-放置线路并有一个运行速度更快的输出启用引脚读取周期的地址访问时间。和S6R4016（V/C/W） 1A允许通过数据字节访问上下字节控制（UB，LB）。这个装置是用先进的CMOS工艺，基于6-TR的单元技术，用于高速电路技术。它特别适合用于高密度高速系统应用。

S6R4016（V/W）1A封装在400密耳44针TSOP2中和48FBGA。

S6R4016C1A封装在400密耳44针TSOP2中。

S6R4008（V/W）1A封装在400密耳44针TSOP2中和48FBGA。

S6R4008C1A封装在400密耳44针TSOP2中。

Features
•  Fast Access Time 8, 10, 12, 15ns(Max)
•  CMOS Low Power Dissipation 
    Standby (TTL)     :  10mA (Max.) 
                 (CMOS)  :  6mA (Max.)
    Operating  : 35mA (8ns, Max.)
                        30mA (10ns, Max.)       
•  Single 3.3 ±0.3V or   5.0 ±0.5V Power  Supply                                            
- S6R40xxV1A : 3.3 ±0.3V Power Supply                            
- S6R40xxC1A : 5.0 ±0.5V Power Supply
• Wide range of Power Supply
          - S6R40xxW1A : 1.65V ~ 3.6V Power Supply
•  TTL Compatible Inputs and Outputs
•  Fully Static Operation, No Clock or Refresh required
•  Three State Outputs
•  Data Byte Control(x16 Mode)                                                       
LB : I/O0~ I/O7,  UB : I/O8~ I/O15
•  Standard 44TSOP2, 36FBGA and 48FBGA Package Pin
   Configuration
•  Operating in Commercial and Industrial Temperature range.

The S6R4016(V/C/W)1A  and  S6R4008(V/C/W))1A  are a4,194,304-bit high-speed Static Random Access Memory orga-nized as 256K (512K) words by 16(8) bits. The S6R4016(V/C/W)1A (S6R4008(V/C/W)1A) uses 16(8) common input and out-put  lines and have an output enable pin which operates  faster than  address  access  time  at  read  cycle.  And  S6R4016(V/C/W)1A allows  that  lower  and  upper  byte  access  by  data  byte control(UB,  LB).  The device  is  fabricated  using  advanced CMOS  process,6-TR  based  cell  technology  and  designed  for high-speed  circuit  technology.  It  is  particularly  well  suited  for use in high-density high-speed system applications. The S6R4016(V/W)1A  is packaged  in a 400mil 44-pin TSOP2and 48FBGA.The S6R4016C1A is packaged in a 400mil 44-pin TSOP2.The S6R4008(V/W)1A  is packaged  in a 400mil 44-pin TSOP2and 36FBGA.The S6R4008C1A is packaged in a 400mil 44-pin TSOP2.