SST26VF016B-104I/SM_进口原装_绝佳品质

宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2018年最新批次,交期快,原厂原装现货，可提供技术支持SST26VF016B-104I/SM是一款串行16M(2M*8位)存储器,使用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造，单电压操作和读写2.7-3.6V，快速读取访问时间：104MHz，低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ,存储器SOIC8引脚,芯片可以擦写10,000次，数据可保留100年，产品可以耐高温85度，耐低温零下40度，更多产品资料请与在线客服联系。

SST26VF016B-104I/SM高清图，细节图，原厂原装现货供应

SST26VF016B-104I/SM基本参数技术设计参考

SST26VF016B-104I/SM标准包装4500/包，现货实物销售

SST26VF016B-104I/SM串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25/26系列串行flash来讲，它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点.

SST26VF016B-104I/SM产品特点:     

              *  操作电压：2.7-3.6V或者3.0-3.6V读和写操作

    *  4线串行接口结构

    *  具有wrap-around特点的连续字节读操作

    *  低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型

    *  灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase，32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力

    *  快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型)

    *  字节编程：14us(典型)

    *  最大操作时钟频率可达50MHz

    *  对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程

              *  通过WP#引脚可实现硬件写保护

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