ISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLL是由8个位组成的512K字的高速4M位静态RAM。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，产生高性能和低功耗设备。当CS1高（取消选择）设备假定用CMOS输入降低功耗的待机模式水平。简单通过使用芯片使能和输出使能输入提供存储器扩展。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。IS62WV5128ALLand系列 IS62WV5128BLL采用JEDEC标准TSOP32（I型）、sTSOP32（I型）、TSOP32（II型）、SOP32和BGA36封装。

IS62WV5128BLL-55HLI特征

•高速接入时间：55ns，70ns

•CMOS低功耗操作

36兆瓦（典型）运行

9微瓦（典型）CMOS待机

•TTL兼容接口级别

•单电源

1.65V–2.2V VDD（IS62WV5128全部）

2.5V–3.6V VDD（IS62WV5128BLL）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•可提供工业温度

•提供 ROHS无铅

ISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLL是由8个位组成的512K字的高速4M位静态RAM。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程与创新的电路设计技术，产生高性能和低功耗设备。当CS1高（取消选择）设备假定用CMOS输入降低功耗的待机模式水平。简单通过使用芯片使能和输出使能输入提供存储器扩展。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。IS62WV5128ALLand系列 IS62WV5128BLL采用JEDEC标准TSOP32（I型）、sTSOP32（I型）、TSOP32（II型）、SOP32和BGA36封装。

IS62WV5128BLL-55HLI特征

•高速接入时间：55ns，70ns

•CMOS低功耗操作

36兆瓦（典型）运行

9微瓦（典型）CMOS待机

•TTL兼容接口级别

•单电源

1.65V–2.2V VDD（IS62WV5128全部）

2.5V–3.6V VDD（IS62WV5128BLL）

•全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•可提供工业温度

•提供 ROHS无铅