IS63LV1024L-10TLI是一款高速低功耗的SRAM，128K*8，8位CMOS静态TSOP32引脚中的静态RAM。IS63LV1024/IS63LV1024L采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路相结合设计技术，产生更高的性能和更低的耗电设备。当CE为高（取消选择）时，设备假定待机模式，功耗可以降低到250微瓦（典型）与CMOS输入电平。IS63LV1024/IS63LV1024L从单个3.3V运行电源和所有输入都是TTL兼容的。

IS63LV1024L-10TLI特征

•高速访问时间：8，10，12ns

•高性能、低功耗CMOS工艺

•多中心电源和接地插脚，提高抗噪性

•使用CE和OE选项轻松扩展内存

•CE断电

•全静态操作：无需时钟或刷新

•TTL兼容的输入和输出

•单个3.3V电源

•IS63LV1024L-10TLI提供封装：

–SOJ32（200 mil）

–SOJ32（400 mil）

–TSOP32（II型）

–STSOP32（I型）

–BGA36（8毫米x10毫米）

•符合无铅ROHS

功能框图

IS63LV1024L-10TLI是一款高速低功耗的SRAM，128K*8，8位CMOS静态TSOP32引脚中的静态RAM。IS63LV1024/IS63LV1024L采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路相结合设计技术，产生更高的性能和更低的耗电设备。当CE为高（取消选择）时，设备假定待机模式，功耗可以降低到250微瓦（典型）与CMOS输入电平。IS63LV1024/IS63LV1024L从单个3.3V运行电源和所有输入都是TTL兼容的。

IS63LV1024L-10TLI特征

•高速访问时间：8，10，12ns

•高性能、低功耗CMOS工艺

•多中心电源和接地插脚，提高抗噪性

•使用CE和OE选项轻松扩展内存

•CE断电

•全静态操作：无需时钟或刷新

•TTL兼容的输入和输出

•单个3.3V电源

•IS63LV1024L-10TLI提供封装：

–SOJ32（200 mil）

–SOJ32（400 mil）

–TSOP32（II型）

–STSOP32（I型）

–BGA36（8毫米x10毫米）

•符合无铅ROHS

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