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SST36VF1601G-70-4I-L1PE小封装BGA存储器16M,价格美丽，有单价格可谈
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：310
宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2018年最新批次,交期快,原厂原装现货,可提供技术支持,SST36VF1601G-70-4I-L1PE是一款并行16M(1M x16 or 2M x8)存储器,使用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造，单电压操作和读写2.3-3.6V，快速读取访问时间：70Ns，低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ,存储器BGA48引脚,芯片可以擦写10,000次，数据可保留100年，产品可以耐高温85度，耐低温零下40度，更多产品资料请与在线客服联系。
SST36VF1601G-70-4I-L1PE高清图，细节图，原厂原装现货供应,有单价格好谈。
SST36VF1601G-70-4I-L1PE特征：
组织为1MX16或2MX8
并发的双银行体系结构
读写操作
- 16兆位的底部扇区保护
- SST36VF1601G：4兆位+ 12兆位
- 16兆位顶部扇区保护
- SST36VF1602G：12兆位+ 4兆位
2.2.3.6V的读写操作
优越的可靠性
-耐力：100000个周期（典型）
超过100年的数据保存
Low Power消费：
-有源电流：6毫安典型
待机电流：4μA典型
-自动低功耗模式：4μA典型
硬件扇区保护/ WP输入引脚
-保护4个最外层扇区（8 kWord）
在较小的银行，通过驱动WP
驾驶不防护
硬件复位引脚（RST）
SST36VF1601G和SST36VF1602G是1Mx16或2Mx8CMOS并行读写闪存,采用SST专有的高性能CMOS超级闪存技术人工制造,与替代方法相比,分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和制造性,器件采用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）,符合JEDEC标准的x8/x16存储器引脚。
SST36VF1601G-70-4I-L1PE封装设计图
