【小分享】教你看懂常用功率半导体的分类

1. GTO：门极可关断晶闸管

2. GTR：电力晶体管

3. IGBT：绝缘栅双极性晶体管

4. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管

汽车领域及大部分工业领域目前最常用的全控器件，全控器件的基本应用场景可以用下边这张示意图概括

IGBT：

上面介绍的几种全控器件，其中GTO是晶闸管的派生器件，主要应用在兆瓦级以上的大功率场合，咱们较少涉及，先讨论另外几种。

GTR（电力晶体管）：电路符号和普通的三极管一致，属于电流控制功率器件，20世纪80年代以来在中小功率范围内逐渐取代GTO。GTR同学特点鲜明，耐高压、大电流、饱和压降低是其主要优点；但是缺点也很明显，驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏，驱动电流大直接决定其不适合高频领域的应用。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：顾名思义，电场控制是他与GTR最明显的区别，特性是输入阻抗大，驱动功率小，开关速度快，工作频率高，是不是完美弥补了GTR的缺陷？那MOS能不能完全替代GTR呢？答案是不能，MOSFET典型参数是导通阻抗，直观理解，耐压做的越大，芯片越厚，导通电阻越大，电流能力就会降低，因此不能兼顾高压和大电流就成了MOS同学的短板，但别忘了，这是GTR的长处啦！

于是，混血儿IGBT诞生了

看下面的简化等效电路图，你是不是就明白了？

那么定义就来了，IGBT是以双极型晶体管为主导元件,以MOSFET为驱动元件的达林顿结构，是不是很巧妙！再看他的名字“绝缘栅场效应晶体管”就很好记了

IGBT特点：

• 损耗小，耐高压，电流密度大，通态电压低，安全工作区域宽，耐冲击；

• 开关频率高，易并联，所需驱动功率小，驱动电路简单，输入阻抗大，热稳定性好等；

• 应用领域正迅速扩大，逐步取代GTR、MOSFET的市场；