SST29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快

GLS29EE010-90-4C-NHE是一款128K x8 CMOS以页为单位写入的EEPROMs,由SST独家专利制造，高性能CMOS超级闪存技术。与其他替代方法相比，它的分栅单元设计和厚的氧化层隧道注入器使其获得更好的可靠性和可制造性。这款产品写入是由单电源供电。内部擦除/编程对用户来说都是透明的。这款产品符合JEDEC标准插脚引线，适用于字节宽度存储器。

SST29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快主要特点

体积小– 小扇区架构– 工业标准，微型封装

SST29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快通过认证的专业技术

– 可擦写100,000次

– 数据可保存100年

– 编程和擦除速度快

– 数据保护

– 封装满足JEDEC标准

SST29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快灵活性

– GLS27 : 封装和引脚分配同EPROM/OTP

– GLS29 : 页写操作，闪存内部的擦除/

 编程操作对外部系统是透明的

– GLS36 : 具有2K word统一的扇区擦除、

 32K word块擦除、芯片擦除功能

– GLS37 : 标准封装和引脚分配

SST29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快E现货产品图片

GLS29EE010-90-4C-NHE技术参数

SST29EE010-90-4C-NHE超级闪存技术，编程和擦除速度快封装PLCC32管脚定义

SST29EE010-90-4C-NHE产品应用领域：移动电话—便携式多媒体播放器—便携式导航设备—交换机/路由器—固定无线终端—视频会议设备— 网络接口卡—工业PC—销售点终端—功率计—工业级游戏系统—医学成像—显示器/扫描仪—自动化及控制（工业—测试与测量仪器）