SST39VF010-70-4C-WHE多用途闪存1Mb（128x8）价格优势

编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：247

宝星微科技专业代理MICROCHIP(SST)全系列存储器,深圳有现货2008年批次,交期快,原厂原装现货，可提供技术支持SST39VF010-70-4C-WHE是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造的128K x8、 256K x8 和 5124K x8 CMOS 多用途闪存（Multi-Purpose Flash，MPF）器件。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxide tunneling injector）可实现更高的可靠性和可制造性。 SST39LF010/ 020/040 器件使用 3.0-3.6V 电源进行写操作（编程或擦除）ST39VF010/020/ 040 器件使用 2.7-3.6V 电源进行写操作。这些器件遵从 x8 存储器的 JEDEC 标准引脚排列。

SST39VF010-70-4C-WHE高清图_细节图_代理原装现货供应

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SST39VF010-70-4C-WHE特性
• 按 128K x8/256K x8/512K x8 的形式组织
• 单电压读写操作
– SST39LF010/020/040 为 3.0-3.6V
– SST39VF010/020/040 为 2.7-3.6V
SST39VF010-70-4C-WHE超高可靠性
– 可擦写次数：100,000 次（典型值） – 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗（14 MHz 时的典型值）
– 工作电流：5 mA （典型值） – 待机电流：1 µA （典型值）
• 扇区擦除功能– 均一 4 KB 扇区
• 快速读取访问时间：
– SST39LF010/020/040 为 45 ns
– SST39LF020/040 为 55 ns
– SST39VF010/020/040 为 70 ns
• 锁存地址和数据

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SST39VF010-70-4C-WHE 快速擦除和字节编程：
– 扇区擦除时间：18 ms （典型值） – 全片擦除时间：70 ms （典型值）
– 字节编程时间：14 µs （典型值）
– 全片重写时间：
SST39LF/VF010 为 2 秒（典型值）
SST39LF/VF020 为 4 秒（典型值）
SST39LF/VF040 为 8 秒（典型值）
• 自动写时序
– 内部 VPP 生成
• 写操作结束检测
– 翻转位
– 数据 # 查询
• CMOS I/O 兼容性
• JEDEC 标准
– 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集
• 可用封装
– 32 引脚 PLCC
– 32 引脚 TSOP （8 mm x 14 mm）
– 48 球 TFBGA （6 mm x 8 mm）
– 34 球 WFBGA （4 mm x 6 mm）（适用于 1M 和 2M）
• 所有器件均符合 RoHS 标准