SST39VF1601-70-4I-EKE-CoC报告,出厂QC报告,原装正品质量有保证

宝星微原装现货持续供应SST39VF1601-70-4I-EKE-CoC报告,出厂QC报告,原装正品质量有保证，从源头保证品质。16兆并行并联存储器存储容量 16Mb（1M x 16）,电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V供电,TSOP48封装,工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）可访问时间 70ns,可供样品,无铅/符合RoHs,非易失存储器,拥有原厂标签和相关票据以供查验。

SST39VF1601设备分别为1M x16和2M x16，采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的CMOS多用途Flash Plus（MPF+）。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得更好的可靠性和可制造性。SST39VF1601使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。该设备符合用于x16存储器的JEDEC标准插脚。

SST39VF1601-70-4I-EKE附加功能

按1M x16组织：SST39VF1601/1602

低功耗（5 MHz时的典型值）–有功电流：9毫安（典型值）–待机电流：3微安（典型值）–自动低功耗模式：3微安（典型值）

硬件块保护/WP#输入引脚-SST39VF1602的顶部块保护（顶部32 KWord）-SST39VF1601的底部块保护（底部32 KWord）

扇区擦除功能–统一的2 KWord扇区

块擦除功能–统一的32 KWord块

SST39VF1601-70-4I-EKE芯片擦除能力

擦除挂起/擦除恢复功能

硬件复位引脚（RST）

安全ID功能–SST:128位；用户：128位

SST39VF1601-70-4I-EKE快速擦除和字程序：–扇区擦除时间：18 ms（典型）–块擦除时间：18 ms（典型）–芯片擦除时间：40 ms（典型）–字程序时间：7微秒（典型）

SST39VF1601-70-4I-EKE提供的包装-48铅TSOP（12毫米x 20毫米）-48球TFBGA（6毫米x 8毫米）

SST39VF1601-70-4I-EKE所有非铅（无铅）设备均符合RoHS标准