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SST39VF512-70-4C-NHE原厂技术服务,专注品质, 提供优质服务
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：304
宝星微科技专业代理SST(MICROCHIP)全系列单片机存储器,深圳有现货2011+最新批次,交期快,原厂原装现货,可提供技术支持,SST39VF512-70-4C-NHE产品为一款并行512K存储器,是CMOS多用途Flash Plus(MPF+),采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其它产品相比,有更好的可靠性和可制造性。SST39VF512-70-4C-NHE单电压操作和读写2.7-3.6V,该装置符合XE16存储器的JEDEC标准引脚。快速读取访问时间：70Ns，低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ,存储器PLCC32引脚,芯片可以擦写10,000次，数据可保留100年，产品可以耐高温70度，耐低温零下0度，更多产品资料请与在线客服联系。
SST39VF512-70-4C-NHE高清图,细节图,原厂原装真实现货库存供应
SST39VF512-70-4C-NHE包装形式是一管30，标准包装30*50=1500PCS/包
NHE代表第一个N代表PLCC，H代表32Pin，最后E代表环保无铅
SST39VF512-70-4C-NHE特性
SST39VF010-70-4C-WHE• 按128K x8/256K x8/512K x8的形式组织
SST39VF010-70-4C-WHE 单电压读写操作
– SST39LF010/020/040为 3.0-3.6V
– SST39VF010/020/040 为2.7-3.6V
SST39VF010-70-4C-WHE 超高可靠性
SST39VF010-70-4C-WHE可擦写次数：100,000 次 （典型值） – 数据保存时间大于100 年
SST39VF010-70-4C-WHE 低功耗
（14 MHz 时的典型值）
– 工作电流：5 mA（典型值） – 待机电流：1 µA （典型值）
• 扇区擦除功能
– 均一 4 KB 扇区
SST39VF512-70-4C-NHE快速读取访问时间：
– SST39LF010/020/040为 45 ns
– SST39LF020/040为 55 ns
– SST39VF010/020/040 为70 ns
• 锁存地址和数据
