三大内存创最缺且涨势最久纪录,手机品牌包产能

电子网消息，DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。

集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态；NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。

业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM和NAND Flash低，但没它不行。

三大内存今年创下历年最缺且涨势最久纪录，同时缺货更是以前没有的情况。 随苹果新手机即将上市，三大内存优先供货给苹果，非苹阵营也积极备货，业界预期，三大内存下半年缺货比上半年更严重。

市场原担心内存价格涨势已到高峰，但近期多家外资机构同声出具报告喊多，强调内存供应不求，到明年都还不会纾解，预料产业景气可旺到明年，而韩国内存也传出缺工，都使内存缺货短期难解。

外电近期引用摩根士丹利分析师出具的报告，强调拜会运算端客户后发现，内存短缺情况好转，但市场仍然畅旺，尤期云端客户仍持续缺货，供给会一路吃紧到明年，第四季移动DRAM价格将续涨。

此外，目前的DRAM和NAND Flash现货价走势持平，也是高于合约价，都让合约价还有调涨空间。 大摩看好美光具有优势。 主因美光的NAND Flash成本结构大幅改善，未来还会继续降低。

多位分析师参加在美国加州举行的闪存峰会，也注意到NAND持续短缺。 他们发现，尽管多家厂商提高资本支出，但因技术难度升高，NAND flash供给仍吃紧。 业界增加的资本支出主要用于增加晶圆层数，而非扩充晶圆产能，预估NAND flash供不应求情况会延续到2018年。

根据韩媒报导，三星电子、SK海力士碍于南韩新颁布的学生不得加班法令，满手订单却陷入缺工困境，正急着大举招募新人帮手。