兆易创新朱一明辞任执行长，改接合肥长鑫执行长冲DRAM量产

根据中国媒体报导，全力发展存储器产业的中国企业，近期又开始有新产品投入量产。那就是合肥长鑫日前宣布已经开始投产 8Gb LPDDR4 DRAM 存储器。巧的是，就在合肥长鑫宣布开始投产 8Gb LPDDR4 DRAM 存储器之后，兆易创新的董事长兼执行长的朱一明，也随即在 7 月 16 日宣布辞去兆易创新执行长职务，由合肥长鑫原执行长王宁国的手中，正式接任合肥长鑫存储及睿力执行长，显示中国对发展存储器产业的重视，并希望借助朱一明的经验，来打造中国存储器产业版图。

报导指出，2017 年，中国总计进口了 896 亿美元的存储器，也就是几乎 100% 依赖进口，这使得存储器产业也被中国列入重点发展的产业之一。但是，对比南韩，三星 17 日宣布，将量产新一代的 8Gb LPDDR5 DRAM 存储器的情况，在中国，虽然紫光集团旗下的西安紫光国芯虽然有 DDR3、DDR4 存储器颗粒生产。不过，技术来源是之前已经破产的奇梦达。因此，对于合肥长鑫能开始投产 8Gb LPDDR4 DRAM 存储器来说，可说是中国厂商在存储器市场上的一次新的突破，使得各界格外关心这件事情。

目前，中国有 3 大存储器生产基地，其中，由紫光集团主导的长江存储以武汉为基地，主要生产 3D  NAND Flash 快闪存储器为主，预计 2019 年将正式投产 32 层堆栈的 64Gb 快闪存储器。至于，选择生产 DRAM 存储器的有两大阵营，包括福建晋华集团与台湾晶圆代工大厂联电合作，在福建晋江设立的 DRAM 生产晶圆厂。另一个，就是这次预备生产 8Gb LPDDR4 DRAM 存储器的合肥长鑫。

目前，合肥长鑫的合作伙伴就是兆易创新。兆易创新在 2017 年 10 月宣布斥资人民币 180 亿元进军 DRAM 市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发 1x 纳米等级的 19 纳米制程的 DRAM 存储器，预计在 2018 年 12 月 31 日前达到产品良率不低于 10% 的目标。而整个合肥长鑫的 DRAM 投资案超过 72 亿美元，工程将分 3 期完成。目前的第 1 期的 12 吋晶圆厂工程，预计投产后可达到月产能 12.5 万片的规模。而这样的产能达到全球 DRAM 存储器产能的 8% 市占率。目前，合肥兆鑫已经正式投片生产 8Gb LPDDR4 的 DRAM 存储器，成为中国首个生产该规格 DRAM 的厂商。

此外，合肥兆鑫执行长王宁国在 2018 年 4 月在出席合肥举办的 ｢国家集成电路重大专项走进安徽活动｣ 上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于 2018 年 1 月建设完成，设备也开始安装。根据计划，合肥长鑫将于 2018 年年底推出 8Gb DDR4 DRAM 样品，2019 年第 3 季推出 8Gb LPDDR4 DRAM 产品，至 2019 年年底，产能将达到每月 2 万片的规模。而且，从 2020 年开始，也将开始规划 2 厂的兴建，并于 2021 年则完成 17 纳米制程的研发。而就在合肥长鑫推出这些计划之后，王宁国也在日前宣布离职，由兆易创新董事长朱一明接任该职位。

据了解，合肥长鑫在此关键点会有这样的人事调动，一方面与王宁国完成厂房建立接段性任务有关，另一方面也希望藉助过去之一明在研发及量产销售上的经验，为合肥长鑫未来的发展进行加持。而这样的人事安排，有消息指出是通过了合肥相关单位与大基金的同意，未来接任合肥长鑫执行长的朱一明，将会持续执行研发与生产的工作。