新鲜到货IS61WV51216EDBLL-10TLI新批次20年第13周生产ISSI优质SRAM高速低功耗

IS61WV51216EDBLL-10TLI简介

IS61WV51216EDBLL是高速8M位静态RAMs以16位的512K字组织。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这个高度可靠的过程加上创新电路设计技术，产生高性能和低功耗设备。当CE高（取消选择）时，设备假设一种待机模式，在这种模式下，功耗可以是降低CMOS输入电平。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE，可以方便地扩展存储器。积极的低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）以及低字节（LB）访问。该设备采用JEDEC标准封装TSOP44和BGA48（6mm x 8mm）。

IS61WV51216EDBLL-10TLI型号标识 / 参数

51216基本型号，表示容量512K*16

EDB版本号

IS61WV51216EDBLL-10TLI特征

•高速访问时间：8、10、20 ns

•高性能、低功耗CMOS工艺

•多个中心电源和接地插脚

抗噪性

•使用CE和OE选项轻松扩展内存

•CE断电

•全静态操作：无时钟或刷新

输出

•TTL兼容的输入和输出

•单电源

–Vdd=1.65V至2.2V（IS61W51216EDall）

–Vdd=2.4V至3.6V（IS61/64WV51216EDBLL）

•IS61WV51216EDBLL提供封装：

–BGA48（6毫米x 8毫米）

–TSOP44（II型）

•工业和汽车温度支持

•无铅产品

•上下字节的数据控制

IS61WV51216EDBLL-10TLI功能框图