代理SST39VF040-70-4C-WHE(图片)TSOP32,3.3V供电,并行存储4M,现货供应,PDF数据手册

 SST39VF040-70-4C-WHE特性

SST39VF040-70-4C-WHE• 按128K x8/256K x8/512K x8的形式组织

SST39VF040-70-4C-WHE 单电压读写操作

–  SST39LF010/020/040为 3.0-3.6V

–  SST39VF010/020/040 为2.7-3.6V

SST39VF040-70-4C-WHE 超高可靠性

SST39VF040-70-4C-WHE可擦写次数：100,000 次 （典型值） – 数据保存时间大于100 年

SST39VF040-70-4C-WHE 低功耗（14 MHz 时的典型值）

– 工作电流：5 mA（典型值） – 待机电流：1 µA （典型值）

• 扇区擦除功能

– 均一 4 KB 扇区

SST39LF010/020/040和SST39VF010/020/040器件具有高性能的字节编程能力，其最大字节编程时间为 20 µs。这些器件使用翻转位或数据 # 查询来指示编程操作是否完成。为了防止意外写操作，这些器件提供了片上硬件和软件数据保护方案。这些器件针对一系列广泛应用进行设计、制造和测试，典型可擦写次数可确保达到 100,000 次。数据额定保存时间则大于 100年。

SST39LF010/020/040和SST39VF010/020/040器件适用于需要方便且经济地更新程序、配置或数据存储器的应用。对于所有系统应用，它们都可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。相较于其他闪存技术，它们本质上在擦除和编程期间消耗的能量更低。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。在降低程序、数据和配置存储应用成本的同时，这些器件还可以提高灵活性。

SuperFlash技术支持固定的擦除和编程时间，时间与所发生的擦除/编程周期数无关。因此，系统软件或硬件不需要进行修改或降额，这一点不同于其他一些擦除和编程时间会随擦除/编程周期数累积而增加的闪存技术。

SST39VF020-70-4C-WHE快速读取访问时间：

–  SST39LF010/020/040为 45 ns

–  SST39LF020/040为 55 ns

–  SST39VF010/020/040 为70 ns

• 锁存地址和数据

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040和 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash® 技术制造的128K x8、256K x8和5124K x8 CMOS多用途闪存（Multi-Purpose Flash，MPF）器件。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxide tunneling injector）可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040器件使用 3.0-3.6V电源进行写操作（编程或擦除）。SST39VF010/020/040器件使用 2.7-3.6V电源进行写操作。这些器件遵从 x8 存储器的 JEDEC 标准引脚排列。

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