SST39VF010-70-4C-WHE低价出售深圳现货当天出货2020美国品牌SST超捷
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-08-03 13:11 | 浏览次数:366
<span{attr}16{/attr}>SST39VF010-70-4C-WHE产品描述
SST39VF010是采用SST专有的高性能 CMOS SuperFlash® 技术制造的128Kx8 CMOS多用途闪存(Multi-Purpose Flash,MPF)器件。与其他方法相比,分离栅极单元设计 (split-gate cell design和厚氧化层隧穿注入器(thick-oxide tunneling injector)可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF010器件使用 2.7-3.6V 电源进行写操作。这些器件遵从 x8 存储器的JEDEC标准引脚排列。 SST39VF010器件具有高性能的字节编程能力,其最大字节编程时间为 20 µs。这些器件使用翻转位或数据 # 查询来指示编程操作是否完成。为了防止意外写操作,这些器件提供了片上硬件和软件数据保护方案。这些器件针对一系列广泛应用进行设计、制造和测试,典型可擦写次数可确保达到 100,000 次。数据额定保存时间则大于 100 年。SST39VF010器件适用于需要方便且经济地更新程序、配置或数据存 储器的应用。对于所有系统应用,它们都可以显著提高性能和可靠性,同时降。相较于其他闪存技术,它们本质上在擦除和编程期间消耗的能量更低。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的 函数。对于任何给定的电压范围,SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短;因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。在降低程序、数据和配置存储应用成本的同时,这些 器件还可以提高灵活性。 SuperFlash 技术支持固定的擦除和编程时间,时间与所发生的擦除/编程周期数无关。因此,系统软件 或硬件不需要进行修改或降额,这一点不同于其他一些擦除和编程时间会随擦除/编程周期数累积而增加 的闪存技术。 为了满足表面贴装的要求SST39VF010器件提供了PLCC32 引脚和TSOP32 引脚封装。
SST39VF010-70-4C-WHE实物图
SST39VF010-70-4C-WHE型号讲解
SST39VF010-70-4C-WHE型号命名规则说明
SST标识SST(MICROCHIP)品牌LOGO
39标识MPF(Multi-Purpose Flash)-39系列产品
VF代表工作电压2.7-3.6V
010代表储存容量1M(128K*8_
70代表时钟频率70NS
4代表芯片可以擦写10000次数
C代表产品耐温度级别0°C to +70°C),I代表-40°C to +85°C
WH代表PLCC32
E代表环保无铅
包装规格
SST39VF010-70-4C-WHE的包装规格为:
包装类型:托盘装
每托盘208pcs;
每包装208pcs*10;共2080pcs;
每整包装4内盒,共8320pcs。
SST39VF010-70-4C-WHE器件 ID
With AMS-A1 = 0; SST Manufacturer’s ID = BFH, is read with A0 = 0,
SST39LF/VF512 Device ID = D4H, is read with A0 = 1,
SST39LF/VF010 Device ID = D5H, is read with A0 = 1,
SST39LF/VF020 Device ID = D6H, is read with A0 = 1,
SST39LF/VF040 Device ID = D7H, is read with A0 = 1.
SST39VF010-70-4C-WHE引脚分配:
SST39VF010-70-4C-WHE基本参数:
• 按 128K x8/256K x8/512K x8 的形式组织
• 单电压读写操作
– SST39LF010/020/040 为 3.0-3.6V
– SST39VF010/020/040 为 2.7-3.6V
• 超高可靠性
– 可擦写次数:100,000 次 (典型值) – 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗
(14 MHz 时的典型值)
– 工作电流:5 mA (典型值) – 待机电流:1 µA (典型值)
• 扇区擦除功能
– 均一 4 KB 扇区
• 快速读取访问时间:
– SST39LF010/020/040 为 45 ns
– SST39LF020/040 为 55 ns
– SST39VF010/020/040 为 70 ns
• 锁存地址和数据
• 快速擦除和字节编程:
– 扇区擦除时间:18 ms (典型值) – 全片擦除时间:70 ms (典型值)
– 字节编程时间:14 µs (典型值)
– 全片重写时间:
SST39LF/VF010 为 2 秒 (典型值)
SST39LF/VF020 为 4 秒 (典型值)
SST39LF/VF040 为 8 秒 (典型值)
• 自动写时序
– 内部 VPP 生成
• 写操作结束检测
– 翻转位
– 数据 # 查询
• CMOS I/O 兼容性
• JEDEC 标准
– 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集
• 可用封装
– 32 引脚 PLCC
– 32 引脚 TSOP (8 mm x 14 mm)
– 48 球 TFBGA (6 mm x 8 mm)
– 34 球 WFBGA (4 mm x 6 mm)(适用于 1M 和 2M)
• 所有器件均符合 RoHS 标准
SST39VF010-70-4C-WHE功能框图
质 量 保 证
SST(MICROCHIP)品牌专业供应商,产品保证全新原厂原装,可追溯,可技术支援。
若有任何质量问题,在产品未上机的前提下,一个月内接受退换货(已上机无法确认原来质量,如需测试,请抽用少量样品)
若是由于客户方自身原因采购失误,恕不做退换(请务必确认实际需求的型号完全一致)
价 格 说 明
本产品价格视数重而定,零售价格以分段标价为难(必要时可少量调整),如需批量采购,欢迎来电咨询洽谈!
本产品价格不含运费,但若您采购的产品总金额达 RMB3,000元 以上,运费可另行协商
零售价格较高,主要原因如下,敬请谅解:
1. 保证全新原装正品。
2.宝星微更专注于批量及小批量供货,批量采购将享受更为优惠的价格。
3.作为品牌专业供应商,宝星微严格坚持制度化的服务流程,使您的采购更轻松、更安心:
【销售部:售前服务、处理订单、达成交易】→【仓管部:产品出库】→【财务部:开具票据】→【发货部:核对产品、包装、发快递】
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